等離子體增強化學氣相沉積設備，利用強電場使所需的氣體源分子電離產(chǎn)生等離子體，等離子體中含有很多活性很高的化學基團，這些基團經(jīng)過經(jīng)一系列化學和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。用于沉積SiO2, SiN 等絕緣體薄膜材料，沉積的薄膜具有均勻性好、精度高、抗應力強等優(yōu)點。

主要技術指標：

基片尺寸：

6"及以下wafer、chip；

沉積均勻性：

±3%（6"wafer）；

膜厚精度：1nm；